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產(chǎn)品中心光電探測(cè)器硅和光電倍增管H12056-40 電流型(高量子效率)PMT
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?高量子效率：GaAsP 光陰極面?小型化?門控功能
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| 光陰極面區(qū)域形狀 | 圓形 |
| 光陰極面區(qū)域尺寸 | 5 mm 直徑 |
| 波長(zhǎng)（短） | 300 nm |
| 波長(zhǎng)（長(zhǎng)） | 740 nm |
| 波長(zhǎng)（峰值） | 520 nm |
| 尺寸 (W x H x D) | 51.0 x 30.0 x 25.0 mm |
| 輸入電壓 | +4.5 至 +5.5 V |
| 最大值 輸入電壓 | 6 V |
| 最大值 輸入電流 | 10 mA |
| 最大值 輸出信號(hào)電流 | 40 μA |
| 最大值 控制電壓 | +0.9（輸入阻抗 1 MΩ）V |
| 建議的控制電壓調(diào)節(jié)范圍 | +0.5 至 +0.8（輸入阻抗 1 MΩ）V |
| [Cathode] 輻射靈敏度典型值 | 189 mA/W |
| [Anode] 輻射靈敏度典型值 | 1.9 x 105 A/W |
| [Anode] 暗電流（30 分鐘后） 典型值 | 3 nA |
| [Anode] 暗電流（30 分鐘后） 最大值 | 10 nA |
| [Time Response] 上升時(shí)間典型值 | 1 ns |
| 波紋噪聲（峰間）最大值 | 0.6 mV |
| 建立時(shí)間最大值 | 10 s |
| 工作環(huán)境溫度 | +5 至 +35 °C |
| 儲(chǔ)存溫度 | -20 至 +50 °C |
| 重量 | 85 g |
| 參數(shù) | 說明/值 | 單位 | ||
| 門控模式 | 模式 | 常開 | — | |
| 柵極寬度（半寬度） | 1 ms 至直流 | — | ||
| 上升時(shí)間 | 典型值 | 0.1 | ms | |
| 下降時(shí)間 | 典型值 | 0.3 | ms | |
| 重復(fù)頻率 | 最大值 | 300 Hz（柵極寬度 1 ms） | — | |
| 開關(guān)比 | 典型值 | 103 | — | |
| 延遲時(shí)間 | 典型值 | 0.1（上升），0.6（下降） | ms | |
| 門控信號(hào)輸入 | 電平 | TTL 電平 | — | |
| （高電平：+2 V 至 +5 V） | ||||
| 開關(guān)比 | 10 | kΩ | ||
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